Конкретное производство солнечных элементов включает 10 этапов, таких как нарезка, очистка, подготовка текстурированной поверхности, диффузия фосфора, удаление заднего PN плюс перехода, изготовление верхнего и нижнего электродов, изготовление антибликовой пленки, спекание и классификация испытаний.
1. Нарезка: используйте многопроволочную резку, чтобы разрезать кремниевые стержни на квадратные кремниевые пластины.
2. Очистка. Для очистки используйте обычные методы очистки кремниевых пластин, а затем используйте раствор кислоты (или щелочи) для удаления 30-50 мкм поврежденного слоя с поверхности кремниевой пластины.
3. Подготовка текстурированной поверхности: анизотропное травление кремниевых пластин щелочным раствором для подготовки текстурированных поверхностей на поверхности кремниевых пластин.
4. Диффузия фосфора: используйте источник покрытия (или жидкий источник, или твердый источник чешуек нитрида фосфора) для диффузии с образованием PN плюс соединение, глубина соединения обычно составляет 0.3-0,5 мкм.
5. Периферийное травление: диффузионный слой, образующийся на периферийной поверхности кремниевой пластины во время диффузии, закорачивает верхний и нижний электроды батареи, а периферийный диффузионный слой удаляется путем маскирования влажным травлением или сухим плазменным травлением.
6. Снимите задний плюсовой переход PN. Заднее соединение PN plus обычно удаляют влажным травлением или шлифованием.
7. Изготовьте верхний и нижний электроды: используйте вакуумное напыление, химическое никелирование или печать алюминиевой пастой и спекание. Сначала сделайте нижний электрод, а затем сделайте верхний электрод. Печать алюминиевой пастой является широко используемым технологическим методом.
8. Изготовление антибликовой пленки: чтобы уменьшить потери падающего отражения, на поверхность кремниевой пластины должен быть нанесен слой антиотражающей пленки. Материалы для изготовления просветляющих покрытий включают MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5 и т. д. Технологический метод может быть методом вакуумного покрытия, методом ионного покрытия, методом напыления, методом печати, методом PECVD или методом распыления и т. д. .
9. Спекание: чип батареи спекается на никелевой или медной базовой пластине.
10. Классификация испытаний: в соответствии с указанной спецификацией параметров, классификация испытаний.
